Mitarbeiter von Reuters haben interessante Informationen von Quellen erhalten, die anonym bleiben möchten und behaupten, sich derzeit eine Zusammenarbeit zwischen Intel und SK hynix abzeichnet, in deren Rahmen die Parteien erstmals gemeinsam mit der Produktion von DRAM-Chips in den Vereinigten Staaten beginnen könnten. Die Zusammenarbeit wäre den Quellen zufolge in zwei verschiedenen Rahmenkonzepten möglich: Zum einen könnte SK hynix einige Produktionslinien des Intel-Werks in Ohio pachten; andererseits könnten die Parteien ein Joint Venture gründen und die Speicherchips gemeinsam produzieren.
Beide Szenarien hätten ihre jeweiligen Vorteile und könnten unter bestimmten Gesichtspunkten als gangbarer und logischer Weg angesehen werden, insbesondere jetzt, da aufgrund der Speicherkrise riesige Mengen an DRAM-, HBM- sowie NAND-Flash-Chips in enormen Mengen – zu sehr hohen Preisen – aufgekauft werden. Sollten die Parteien ein Joint Venture gründen, in dessen Rahmen auch Intel Zugang zu den von SK hynix entwickelten Speichertechnologien erhielte, würde dies für beide Seiten eine zusätzliche Einnahmequelle direkt aus dem DRAM-Markt bedeuten, da das Angebot auf dem Speichermarkt äußerst knapp ist, jeder Speicherchip benötigt wird und alle großzügig bezahlt werden. In diesem Fall hätten beide Seiten ein Interesse an der Entwicklung der Ereignisse auf dem DRAM-Markt, da sie dieses Segment als direkte Einnahmequelle betrachten könnten.
Im Rahmen der zweiten Möglichkeit könnte Intel lediglich mit den Einnahmen aus der Verpachtung der Produktionsanlage rechnen, würde aber nicht direkt von den preistreibenden Effekten der Entwicklungen auf dem DRAM-Markt profitieren, wäre aber auch nicht so stark den Risiken ausgesetzt, die sich aus den zyklischen Nachfrageschwankungen ergeben, wie SK hynix. In diesem Fall würde SK hynix die Gewinne aus der Herstellung der Speicherchips allein „einstreichen“, nachdem die Kosten für die Nutzung der Fabrik beglichen wurden.
In den Produktionsstätten könnten DRAM-Chips hergestellt werden, aus denen später HBM-Speicherchip-Sandwiches gefertigt werden könnten, aber je nach Bedarf wäre auch die Produktion von NAND-Flash-Speicherchips denkbar. Das Intel-Team wollte sich zu den Gerüchten nicht äußern, betonte jedoch, dass die laufenden Investitionen in Ohio unabhängig davon weiter voranschreiten werden. Auch die Verantwortlichen bei SK hynix gaben keine konkreten Details zu den Plänen preis, sondern betonten lediglich, dass es bislang keine endgültige Entscheidung bezüglich der Idee einer DRAM-Produktion in den USA oder einzelner Kooperationsmöglichkeiten gebe, schließen aber auch nicht aus, dass es zu einem späteren Zeitpunkt zu einer Zusammenarbeit kommen könnte.
Aufgrund der oben genannten Punkte ist es also nicht ausgeschlossen, dass die Parteien noch in Verhandlungen stehen und die endgültige Entscheidung in Kürze bekannt gegeben wird – sofern sie sich einigen können. Die Situation könnte natürlich dadurch erschwert werden, dass die lokalen Behörden ein Wörtchen mitzureden hätten, sollte SK hynix Technologien, die aus Sicht der nationalen Sicherheit wichtig sind, in die USA verlagern wollen: Das Unternehmen muss auf jeden Fall eine Genehmigung von ihnen einholen, bevor die Geschäftsführung einer Vereinbarung zustimmt. Die Idee erscheint aus geschäftlicher Sicht natürlich durchaus realisierbar, insbesondere inmitten der Speicherkrise, und könnte auch für Intel von Vorteil sein, da sich die Einnahmequellen des Unternehmens erweitern könnten, das Produktportfolio erweitert und die Auslastung der Werke maximiert werden könnte – je nachdem, wie der endgültige Vertragstext lautet.
